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Estudo mostra na escala atômica como filmes de InSb se tornam porosos ao serem irradiados com íons.

sexta-feira, 11 de novembro de 2022 09:22

O antimoneto de índio (InSb) é um semicondutor cujas propriedades o tornam útil para uso em sensores infravermelhos.

O material também é promissor para aplicações em catálise e dispositivos ópticos, mas, para esses usos, é necessário gerar filmes com porosidade controlada. Essa porosidade pode ser alcançada por meio de técnicas de irradiação de íons - especialidade do Laboratório de Implantação Iônica (LIO) da UFRGS, que é associado ao nosso Instituto.

Nesse contexto, pesquisadores do LIO, junto a colaboradores da Austrália, estudaram como a irradiação de íons afeta a estrutura de filmes de InSb.

Foi o primeiro trabalho que mostrou esses resultados na escala atômica - feito que só foi possível graças ao uso de uma técnica avançada de caracterização de mudanças estruturais conhecida pela sigla EXAFS.

Saiba mais no artigo científico: https://doi.org/10.1016/j.solidstatesciences.2021.106705

Fonte: Gerência de Comunicação do Instituto Nacional de Engenharia de Superfícies

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